Siliciumnitride keramisch substraat voor elektronica

Siliciumnitride keramisch substraat voor elektronica

Siliciumnitride keramisch substraat voor elektronica is een gespecialiseerd type keramisch materiaal dat wordt gebruikt in verschillende industriële toepassingen waar hoge sterkte, duurzaamheid en thermische stabiliteit vereist zijn. Het is gemaakt van een combinatie van silicium, stikstof en andere elementen die het unieke mechanische, thermische en chemische eigenschappen geven.

Si3N4 keramisch substraat heeft een uitzonderlijke mechanische sterkte, waardoor het zeer goed bestand is tegen slijtage en schade door schokken en compressie. Het is ook zeer hittebestendig en bestand tegen snelle temperatuurveranderingen zonder te barsten of te breken. Dit maakt het ideaal voor gebruik in industrieën met hoge temperaturen, zoals de lucht- en ruimtevaart, de autotechniek en andere gebieden waar warmteafvoer noodzakelijk is.

Naast de mechanische en thermische eigenschappen biedt Si3N4 keramisch substraat ook uitstekende elektrische isolatie en goede corrosieweerstand in ruwe omgevingen. Het wordt gebruikt in elektronica en halfgeleidertoepassingen zoals vermogensmodules en elektronica voor hoge temperaturen vanwege de superieure warmteafvoer en isolatie-eigenschappen.

Over het geheel genomen is Si3N4 siliciumnitride keramisch substraat een uitzonderlijk materiaal met een breed scala aan toepassingen. De uitzonderlijke mechanische sterkte, thermische stabiliteit, elektrische isolatie en chemische bestendigheid maken het ideaal voor diverse industriële en elektronische toepassingen waarbij betrouwbaarheid en efficiëntie kritische factoren zijn.

Het Torbo® siliciumnitride keramische substraat voor elektronica

Artikel: siliciumnitridesubstraat

Materiaal: Si3N4

Kleur: grijs

Dikte: 0,25-1 mm

Oppervlakteverwerking:dubbel gepolijst

Bulkdichtheid: 3,24 g/㎤

Oppervlakteruwheid Ra: 0,4 μm

Buigsterkte: (3-puntsmethode): 600-1000Mpa

Elasticiteitsmodulus: 310Gpa

Breuktaaiheid (IF-methode): 6,5 MPa･√m

Thermische geleidbaarheid: 25°C 15-85 W/(m･K)

Diëlektrische verliesfactor: 0,4

Volumeweerstand: 25°C >1014 Ω･㎝

Doorslagsterkte: DC >15㎸/㎜